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电子元器件详细资料 » IC[20270] » FDP55N06
型号:FDP55N06类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 60V 55A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
系列UniFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C55A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C22 毫欧 @ 27.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs37nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1510pF @ 25V
功率_最大114W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华创欧科技有限公司朱先生086-0755-23945755 83248872
深圳市诺洋电子科技有限公司朱0755-83223003
深圳市宏捷佳电子科技有限公司李先生,夏小姐0755-22669259 83214703
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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